Fototranzistoare BPW77NB: Tip metalic de 850nm

Descoperiți fototranzistoarele BPW77NB de înaltă performanță, concepute pentru a oferi funcționalități superioare în diverse aplicații electronice. Ideale atât pentru inginerii electronici, cât și pentru pasionații de jocuri, aceste fototranzistoare sunt perfecte pentru proiecte Arduino, Raspberry Pi și alte microcontrolere.

Caracteristici și specificații cheie

Fototranzistoarele noastre BPW77NB sunt dotate cu o multitudine de caracteristici care le fac o alegere fiabilă pentru nevoile dumneavoastră în domeniul electronicii. Sunt disponibile într-un tip metalic cu o lungime de undă de 850 nm, asigurând performanțe optime.

Ambalaj și montare

Fototranzistoarele sunt livrate într-o capsulă metalică TO-206AA, TO-18-3. Sunt proiectate pentru montare prin orificii de trecere, oferind o instalare ușoară și o fixare sigură.

Condiții de funcționare

Aceste fototranzistoare pot funcționa într-o gamă largă de temperaturi, de la -40°C la 125°C (TA), ceea ce le face potrivite pentru diverse medii.

Caracteristici electrice

• Unghi de vizualizare:Fototranzistoarele au un unghi de vizualizare de 20°, oferind un câmp vizual larg.
• Curent de întuneric (Id):Curentul maxim de întuneric este de 100 nA, asigurând un consum redus de energie atunci când dispozitivul nu este utilizat.
• Curent de colector (Ic):Curentul maxim al colectorului este de 50 mA, oferind un curent suficient pentru majoritatea aplicațiilor.
• Tensiune de defect colector-emitor:Tensiunea maximă de străpungere a emițătorului colectorului este de 70 V, asigurând că dispozitivul poate suporta niveluri ridicate de tensiune.
• Putere maximă:Fototranzistoarele pot gestiona o putere maximă de 250 mW, oferind suficientă putere pentru majoritatea componentelor și modulelor electronice.

Datorită caracteristicilor și specificațiilor robuste, fototranzistoarele BPW77NB reprezintă o completare valoroasă pentru orice proiect electronic. {IMG_TAG_0}