Modul IGBT original Infineon BSM50GP120 1200V 50A

Proiectat pentru aplicații industriale de electronică de putere, BSM50GP120 este un modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de înaltă performanță de la Infineon. Cu o tensiune nominală de 1200V și o capacitate de curent continuu de 50A, acest modul este perfect potrivit pentru aplicații de înaltă eficiență și comutare rapidă. Modulul este echipat cu diode integrate cu funcționare liberă și este încapsulat într-o capsulă robustă SEMITRANS pentru montarea ușoară a radiatorului. Fiabilitatea sa superioară și caracteristicile termice excelente îl fac o alegere ideală pentru mediile solicitante.

📝 Specificații tehnice cheie

Valoare specificație
Tipul modululuiIGBT (Tranzistor bipolar cu poartă izolată)
SerieBSM
ModelBSM50GP120
Curent nominal (IC)50 A
Tensiune maximă colector-emitor (VCES)1200V
Tip de comutareDe mare viteză
Tipul pachetuluiSEMITRANS
Diodă de roată liberăInclus

🔌 Aplicații tipice

• Acționări motor de curent alternativ
• Invertoare solare
• Surse de alimentare neîntreruptibile (UPS)
• Aparate de sudură
• Robotică și automatizare

💡 Avantaje

• Capacitate mare de gestionare a curentului
• Toleranță la tensiune ridicată (până la 1200V)
• Design compact al modulului
• Montare ușoară pe radiatoare
• Performanță termică excelentă